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真空鍍膜機(jī)原理
真空鍍膜機(jī)原理
更新時(shí)間:2013-06-13 點(diǎn)擊次數(shù):1906
真空鍍膜主要指一類(lèi)需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜,具體包括很多種類(lèi),包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
需要鍍膜的被成為基片,鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái),并且沉降在基片表面,通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。 對(duì)于濺射類(lèi)鍍膜,可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái),并且zui終沉積在基片表面,經(jīng)歷成膜過(guò)程,zui終形成薄膜。
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